Time-Domain Optical Metrolgy and Inspection of Semiconductor Devices

반도체 장치의 패턴 구조에 의해 반사된 빛의 파장-영역 측정 데이터의 시간-영역 표현을 생성하고, 상기 시간-영역 표현 나중 부분을 제외하고 시간-영역 표현 초기 부분을 선택하며, 그리고 시간-영역 표현의 초기 부분을 사용하여 모델 기반 처리를 수행함으로써 패턴화된 구조의 관심 있는 하나 이상의 매개 변수에 대한 하나 이상의 측정 값을 결정함을 포함한다. Semiconductor device metrology including creating a time-domain representation of wavelength-domain measurement data of light reflected by a patterned structure of a semiconductor device, selecting an earlier-in-time portion of the time-domain representation that excludes a later-in-time portion of the time-domain representation, and determining one or more measurements of one or more parameters of interest of the patterned structure by performing model-based processing using the earlier-in-time portion of the time-domain representation.