리소그래피 장치에서의 인시튜 입자 제거 장치 및 방법
리소그래피 시스템에서 클램핑 구조체의 클램핑 면에 있는 미립자 오염물을 줄이기 위한 방법과 시스템이 설명된다. 세정 레티클과 같은 기판이 클램핑 면에 가압된다. 클램핑 면으로부터 기판으로의 입자 전달을 촉진시키기 위해 클램핑이 일어나기 전 또는 후에 기판과 클램핑 면 사이에 온도차가 생긴다. Methods and systems are described for reducing particulate contaminants on a clamping face of a clamping structure in a lithographic sys...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 리소그래피 시스템에서 클램핑 구조체의 클램핑 면에 있는 미립자 오염물을 줄이기 위한 방법과 시스템이 설명된다. 세정 레티클과 같은 기판이 클램핑 면에 가압된다. 클램핑 면으로부터 기판으로의 입자 전달을 촉진시키기 위해 클램핑이 일어나기 전 또는 후에 기판과 클램핑 면 사이에 온도차가 생긴다.
Methods and systems are described for reducing particulate contaminants on a clamping face of a clamping structure in a lithographic system. A substrate such as a cleaning reticle is pressed against the clamping face. A temperature differential is established between the substrate and the clamping face either before or after clamping occurs to facilitate transfer of particles from the clamping face to the substrate. |
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