SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURES

A semiconductor device includes a first conductive feature and a second conductive feature. A first passivation layer is disposed between the first conductive feature and the second conductive feature. A second passivation layer is disposed between the first and second conductive features and on the first passivation layer. A lowermost portion of the interface where the first passivation layer is in contact with the second passivation layer is disposed 40% below or 60% above the height of the first conductive feature. Electrical connections can be made between different features. 반도체 디바이스는 제1 전도성 피처 및 제2 전도성 피처를 포함한다. 제1 전도성 피처와 제2 전도성 피처 사이에 제1 패시베이션 층이 배치된다. 제1 전도성 피처와 제2 전도성 피처 사이에 그리고 제1 패시베이션 층 위에 제2 패시베이션 층이 배치된다. 제1 패시베이션 층이 제2 패시베이션 층과 접촉하는 계면의 최하부는 제1 전도성 피처의 높이의 40 % 아래 또는 60 % 위에 배치된다.