크롬 또는 크롬 합금을 성막하기 위한 방법 및 도금 장치

적어도 하나의 기판 상에 크롬 또는 크롬 합금 층을 성막하기 위한 방법으로서, 상기 방법은, (a) 4.1 내지 6.9 범위의 pH 를 갖는 수성 성막 조 (deposition bath) 를 제공하는 단계로서, 성막 조는 - 3가 크롬 이온, - 포름산염 이온, 및 - 선택적으로 황산염 이온을 포함하는, 상기 수성 성막 조를 제공하는 단계, (b) 적어도 하나의 기판 및 적어도 하나의 애노드를 제공하는 단계, (c) 적어도 하나의 기판을 수성 성막 조에 침지시키고 전류를 인가하여 기판 상에 크롬 또는 크롬 합금 층이 성막되도록 하는 단계로서, 기판은 캐소드인, 상기 기판 상에 크롬 또는 크롬 합금 층이 성막되도록 하는 단계, 단계 (c) 동안 또는 이후에 3가 크롬 이온이 3가 크롬 이온의 타겟 농도 미만의 농도를 가지면, (d) 3가 크롬 이온이 단계 (d) 이전보다 더 높은 농도로 존재하도록 용해된 3가 크롬 포름산염을 수성 성막 조에 첨가하는 단계를 포함하며, 단, - 고체 3가 크롬 포름산염은 단계 (d) 에 대한 상기 용해된 3가 크롬 포름산염을 얻기 위해 수성 성막 조로부터 취해진 분리된 부분 부피에서 용해된다. A method for depositing a chromium or chromium alloy layer on at least one substrate, the method comprising the steps(a) providing an aqueous deposition bath with a pH in the range from 4.1 to 6.9, the bath comprisingtrivalent chromium ions,formate ions, andoptionally sulfate ions,(b) providing the at least one substrate and at least one anode,(c) immersing the at least one substrate in the aqueous deposition bath and applying an electrical current such that the chromium or chromium alloy layer is deposited on the substrate, the substrate being the cathode,wherein, if during or after step (c) the trivalent chromium ions have a concentration below a target concentration of trivalent chromium ions, then(d) adding dissolved trivalent chromium formate to the aqueous deposition bath such that trivalent chromium ions are present in a higher concentration than before step (d),with the proviso thatsolid trivalent chromium formate is dissolved in a separated partial volume taken from the aqueous deposition bath to obtain said dissolved trivalent chromium formate for step (d).