SEMICONDUCTOR PACKAGE

A semiconductor package can include: a package substrate; a semiconductor chip; a supporter having a dolmen structure; and an internal molding member. The package substrate can have an upper surface having at least one groove. The semiconductor chip can be disposed on the upper surface of the packag...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: LEE SEONG GWAN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor package can include: a package substrate; a semiconductor chip; a supporter having a dolmen structure; and an internal molding member. The package substrate can have an upper surface having at least one groove. The semiconductor chip can be disposed on the upper surface of the package substrate to expose the groove. The supporter having the dolmen structure can be disposed on the upper surface of the package substrate to cover the semiconductor chip while exposing the groove. A tunnel connected to the groove can be formed between the support having the dolmen structure and the side surface of the semiconductor chip. The tunnel and the groove can be filled with the internal molding member. Accordingly, the groove formed in the package substrate is connected to the tunnel so that the height of the tunnel can be increased. Accordingly, the flowability of the internal molding member in the tunnel is increased so that the internal molding member can completely fill the inside of the tunnel. As a result, the formation of voids in the internal molding member is suppressed, and thus the holding force of the semiconductor package can be increased. 반도체 패키지는 패키지 기판, 반도체 칩, 돌멘 구조의 지지대 및 내부 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 패키지 기판은 적어도 하나의 그루브가 형성된 상부면을 가질 수 있다. 상기 반도체 칩은 상기 그루브가 노출되도록 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 돌멘 구조의 지지대는 상기 그루브를 노출시키면서 상기 반도체 칩을 덮도록 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 돌멘 구조의 지지대와 상기 반도체 칩의 측면 사이에 상기 그루브와 연결된 터널이 형성될 수 있다. 상기 내부 몰딩 부재는 상기 터널과 상기 그루브 내에 충진될 수 있다. 따라서, 패키지 기판에 형성된 그루브가 터널과 연결되어, 터널의 높이가 증가될 수 있다. 이에 따라, 터널 내에서 내부 몰딩 부재의 흐름성이 향상되어, 내부 몰딩 부재가 터널 내부를 완벽하게 채울 수가 있다. 결과적으로, 보이드가 내부 몰딩 부재 내에 형성되는 것이 억제되어, 반도체 패키지의 지지력이 향상될 수 있다.