프로브 기판 및 전기적 접속장치

본 발명은 프로브 기판의 기판 사이 및/또는 프로브 기판과 피접합부재와의 내구성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 프로브 기판은, 피검사체의 복수의 전극단자의 각각에 대하여, 전기적으로 접촉시키는 복수의 전기적 접촉자를 갖는 프로브 기판에 있어서, 상기 프로브 기판의 제1면과 제2면의 어느 한쪽 또는 양쪽 면에 설치하는 접합부가 금속성분 중에 적어도 70 원자% 이상의 전이금속을 포함하는 소결된 금속층에 의해 피접합부재에 접합되고, 및/또는 상기 프로브 기판의 복수의 기판 사이의 접합면은 상기 소결된 금속층에 의해 기판끼리...

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Hauptverfasser: ABE SHINTARO, OMORI TOSHINORI, WATANABE MAKI, KONDO TAKESHI, SUGISAWA TAKEKI, GOTO KAZUYA, OSANAI YASUAKI, AKINIWA TAKASHI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 프로브 기판의 기판 사이 및/또는 프로브 기판과 피접합부재와의 내구성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 프로브 기판은, 피검사체의 복수의 전극단자의 각각에 대하여, 전기적으로 접촉시키는 복수의 전기적 접촉자를 갖는 프로브 기판에 있어서, 상기 프로브 기판의 제1면과 제2면의 어느 한쪽 또는 양쪽 면에 설치하는 접합부가 금속성분 중에 적어도 70 원자% 이상의 전이금속을 포함하는 소결된 금속층에 의해 피접합부재에 접합되고, 및/또는 상기 프로브 기판의 복수의 기판 사이의 접합면은 상기 소결된 금속층에 의해 기판끼리 접합되며, 상기 소결된 금속층에는 열가소성 수지를 포함하는 접착재 조성물의 가열에 의해 형성된 복수의 유기성분 부위 및/또는 공극이 형성되고, 상기 소결된 금속층에 포함되는 상기 복수의 유기성분 부위 및/또는 공극은 상기 소결된 금속층의 수직 단면에 있어서 5∼80 면적%인 것을 특징으로 한다. An object is to enhance the durability of substrates of a probe substrate and/or the probe substrate and a member to be joined.A probe substrate according to the present disclosure includes: a plurality of electrical contactors respectively brought into electrical contact with a plurality of electrode terminals of a member to be inspected, a joint portion for a member to be joined is provided on one or each of a first surface and a second surface of the probe substrate and the member to be joined is joined to the joint portion with a metal layer that includes, in a metal component, at least 70 atomic percent or more of a transition metal and that is formed by sintering, and/or in a joining surface between a plurality of substrates of the probe substrate, the substrates are joined together with the metal layer formed by sintering, in the metal layer formed by sintering, a plurality of organic component parts and/or voids formed by heating an adhesive composition including a thermoplastic resin are left and the organic component parts and/or the voids included in the metal layer formed by sintering have 5 to 80 area percent in a vertical cross section of the metal layer formed by sintering.