플라스마 처리 장치

이상 방전을 억제 가능한 플라스마 처리 장치를 제공한다. 처리 용기 내에 대향 배치된 상부 전극 및 하부 전극과, 상부 전극의 하방에 배치된 가스 도입용 유전체 샤워를 구비하고, 상부 전극과 하부 전극의 사이의 공간에 플라스마를 발생시키는 플라스마 처리 장치에 있어서, 상부 전극은, 처리 용기 내에의 VHF파 도입용 슬롯과, 슬롯으로부터 독립적으로 마련되어, 유전체 샤워에 연통한 가스 유로를 구비하고 있다. Provided is a plasma processing apparatus capable of suppressing abnormal discharge. The plasma processing apparatus includes: an upper electrode and a lower electrode which are disposed inside a processing container so as to face each other inside the processing container; and a dielectric shower for gas introduction disposed below the upper electrode, wherein the plasma processing apparatus generates plasma in a space between the upper electrode and the lower electrode. The upper electrode includes: at least one slot configured to introduce VHF waves into the processing container; and a gas flow path provided independently of the at least one slot and in communication with the dielectric shower.