Semiconductor device and method of compartment shielding using bond wires

A semiconductor device has a substrate, and a plurality of bond wires are disposed on the substrate in a uniform pattern. The pattern of bond wires may be a plurality of rows of bond wires. A plurality of electrical components are disposed on the substrate as SIP modules. The encapsulant is deposited over the substrate, electrical components and bond wires. An opening is formed in the encapsulant extended into the bond wires. The opening may be a trench extended across the bond wires disposed on the substrate, or a plurality of openings may individually expose each of the bond wires. A conductive material is disposed within the opening. A shielding layer is formed over the encapsulant and in contact with the conductive material. The shielding layer, the conductive material and the bond wires reduce the effects of EMI, RFI and interference between other devices. 반도체 장치는 기판을 가지며 복수의 본드 와이어가 기판 상에서 일정한 패턴으로 배치된다. 본드 와이어의 패턴은 본드 와이어의 복수 행(rows)일 수 있다. 복수의 전기 부품이 SIP 모듈로서 기판 위에 배치된다. 인캡슐런트는 기판, 전기 부품 및 본드 와이어 위에 증착된다. 본드 와이어로 연장되는 인캡슐런트 내에 개구가 형성된다. 상기 개구는 기판 상에 배치된 본드 와이어를 가로 질러 연장되는 트렌치일 수 있으며, 또는 복수의 개구가 본드 와이어 각각을 개별적으로 노출시킬 수 있다. 전도성 재료가 상기 개구 내에 배치된다. 차폐 층이 상기 인캡슐런트 위에 형성되고 전도성 재료와 접촉한다. 차폐 층, 전도성 재료 및 본드 와이어는 EMI, RFI 및 기타 장치 간 간섭의 영향을 줄인다.