유전체 배리어 벽들 사이의 스루-어레이 접촉 비아 구조물을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 제조 방법

절연 층들 및 희생 재료 층들의 교번하는 층 스택이 반도체 기판 위에 형성되고, 메모리 스택 구조물들이 수직으로 교번하는 층 스택을 통해 형성된다. 한 쌍의 비접속형 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치가 후면 트렌치들의 형성과 동시에 교번하는 스택을 통해 형성된다. 유전체 라이너가 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치를 커버하는 동안 절연 층들에 대해 선택적으로 희생 재료 층들을 등방성으로 에칭함으로써 후면 리세스들이 형성된다. 절연 플레이트들 및 유전체 스페이서 플레이트들의 수직으로 교번하는 시퀀스가 한 쌍의 배리어 트렌치들 사이에 또...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	NOZAWA KEI, OTSU YOSHITAKA, HAYASHI EIJI, TOKITA HIROFUMI, HOJO NAOTO, TERAHARA MASANORI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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