유전체 배리어 벽들 사이의 스루-어레이 접촉 비아 구조물을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 제조 방법

절연 층들 및 희생 재료 층들의 교번하는 층 스택이 반도체 기판 위에 형성되고, 메모리 스택 구조물들이 수직으로 교번하는 층 스택을 통해 형성된다. 한 쌍의 비접속형 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치가 후면 트렌치들의 형성과 동시에 교번하는 스택을 통해 형성된다. 유전체 라이너가 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치를 커버하는 동안 절연 층들에 대해 선택적으로 희생 재료 층들을 등방성으로 에칭함으로써 후면 리세스들이 형성된다. 절연 플레이트들 및 유전체 스페이서 플레이트들의 수직으로 교번하는 시퀀스가 한 쌍의 배리어 트렌치들 사이에 또...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: NOZAWA KEI, OTSU YOSHITAKA, HAYASHI EIJI, TOKITA HIROFUMI, HOJO NAOTO, TERAHARA MASANORI
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:절연 층들 및 희생 재료 층들의 교번하는 층 스택이 반도체 기판 위에 형성되고, 메모리 스택 구조물들이 수직으로 교번하는 층 스택을 통해 형성된다. 한 쌍의 비접속형 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치가 후면 트렌치들의 형성과 동시에 교번하는 스택을 통해 형성된다. 유전체 라이너가 배리어 트렌치들 또는 해자 트렌치를 커버하는 동안 절연 층들에 대해 선택적으로 희생 재료 층들을 등방성으로 에칭함으로써 후면 리세스들이 형성된다. 절연 플레이트들 및 유전체 스페이서 플레이트들의 수직으로 교번하는 시퀀스가 한 쌍의 배리어 트렌치들 사이에 또는 해자 트렌치 내측에 제공된다. 전기 전도성 층들이 후면 리세스들 내에 형성된다. 교번하는 스택에 인접한 유전체 재료 부분을 통한 제2 전도성 비아 구조물의 형성과 동시에 제1 전도성 비아 구조물이 수직으로 교번하는 시퀀스를 통해 형성된다. An alternating layer stack of insulating layers and sacrificial material layers is formed over a semiconductor substrate, and memory stack structures are formed through the vertically-alternating layer stack. A pair of unconnected barrier trenches or a moat trench is formed through the alternating stack concurrently with formation of backside trenches. Backside recesses are formed by isotropically etching the sacrificial material layers selective to the insulating layers while a dielectric liner covers the barrier trenches or the moat trench. A vertically alternating sequence of the insulating plates and the dielectric spacer plates is provided between the pair of barrier trenches or inside the moat trench. Electrically conductive layers are formed in the backside recesses. A first conductive via structure is formed through the vertically alternating sequence concurrently with formation of a second conductive via structure through a dielectric material portion adjacent to the alternating stack.