PIEZO VOLTIC PROBE STATION TIP

The present invention relates to a piezoelectric element probe station probe. By adding a piezoelectric element (1) and an electrode capable of receiving an electrical signal of the piezoelectric element (1) to a probe station probe in the form of a cantilever, the piezoelectric element probe statio...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: YOON, TAE GEUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a piezoelectric element probe station probe. By adding a piezoelectric element (1) and an electrode capable of receiving an electrical signal of the piezoelectric element (1) to a probe station probe in the form of a cantilever, the piezoelectric element probe station probe controls a contact between a micro-circuit or a pad and a probe, and stress thereof. Accordingly, the present invention solves problems in prior arts, in which device analysis is impossible due to a probe larger than a micro-pad, or damage is applied to an electrode due to inability to control contact stress. There is an effect of facilitating the identification of electrical characteristics according to the degree of integration of current semiconductor circuit devices. 본 발명은 압전 소자 프로브 스테이션 탐침에 관한 것으로, 켄틸레버 형태의 프로브 스테이션 탐침에 압전 소자(1)와 상기 압전 소자(1)의 전기적 신호를 전달받을 수 있는 전극을 추가하여, 미세한 회로나 패드와 탐침과의 접촉의 여부 및 그 응력을 조절한다. 이를 통해 미세 패드보다 큰 탐침으로 인해 소자 분석이 불가능하거나, 접촉 응력을 조절하지 못해 전극에 손상이 가해지는 종래와 같은 문제를 해결하여 현재의 반도체 회로 소자의 집적도에 따라 전기적 특성 파악을 용이하게끔 하는 효과가 있다.