Memory device

A memory device is provided. The memory device includes: a charge pump connected to a power supply voltage, including a plurality of stages, and outputting an output voltage; a stage counter counting the stages; and a regulator comparing a reference output voltage of the charge pump generated using the number of stages corresponding to the counted count value among the plurality of stages included in the charge pump with the output voltage output from the charge pump, and outputting a pump operation signal when the reference output voltage is equal to or greater than the output voltage. The charge pump operates in response to the pump operation signal. 메모리 장치가 제공된다. 메모리 장치는, 전원 전압과 연결되고, 복수의 스테이지를 포함하고, 출력 전압을 출력하는 차지 펌프; 스테이지를 카운트하는 스테이지 카운터; 및 차지 펌프에 포함된 복수의 스테이지 중 카운트 된 카운트 값에 해당하는 개수의 스테이지를 이용하여 생성되는 차지 펌프의 기준 출력 전압과 차지 펌프로부터 출력되는 출력 전압을 비교하여, 기준 출력 전압이 출력 전압 이상이 된 경우 펌프 동작 신호를 출력하는 레귤레이터를 포함하고, 차지 펌프는 상기 펌프 동작 신호에 응답하여 동작한다.