Silicon carbide grower having inner monitoring function

Disclosed is a silicon carbide single crystal growing device. A silicon carbide single crystal growing device according to one embodiment of the present invention comprises: a vacuum chamber comprising upper and lower chambers which open and close to each other, and forming a place where a silicon carbon single crystal growing process is performed therein; and a damping unit disposed between the upper chamber and the lower chamber, and damping physical impacts possibly applied when inside is changed to vacuum after the upper chamber and the lower chamber are closed or the upper chamber and the lower chamber are closed in order to perform the silicon carbide single crystal growing process. According to the present invention, destruction of the vacuum chamber can be effectively prevented. 실리콘 카바이드 단결정 성장장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 카바이드 단결정 성장장치는, 서로 열리거나 닫히는 상부 및 하부 챔버를 구비하며, 내부에서 실리콘 카바이드 단결정 성장공정이 진행되는 장소를 형성하는 진공 챔버; 및 상부 챔버와 하부 챔버 사이에 배치되며, 실리콘 카바이드 단결정 성장공정의 진행을 위해 상부 챔버와 하부 챔버가 닫히거나 상부 챔버와 하부 챔버가 닫힌 후 내부가 진공으로 변환될 때, 가해질 수 있는 물리적 충격을 댐핑(damping)하는 댐핑 유닛을 포함한다.