PIN PIN DIODE AND MANUFACTURING METHODE THEREOF AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE FOR DIGITAL X-RAY DETECTOR AND THE DIGITAL X-RAY DETECTOR INCLUDING THE SAME

According to the present invention, since a thickness of an edge portion of a p-type semiconductor layer of a PIN diode is formed to be thicker than a thickness of a non-edge portion, an influence of damage can be minimized due to the thickness of the thick edge portion even if some regions of an outer portion of the p-type semiconductor layer are damaged. In addition, according to the present invention, it is possible to minimize the influence caused by the damage to the outer portion of the p-type semiconductor layer by increasing only the thickness of the edge portion without increasing the thickness of the non-edge portion, which is the center of the p-type semiconductor layer, so that it is possible to minimize a decrease in transmittance of the PIN diode that may occur as the thickness of the central portion of the p-type semiconductor layer becomes thicker. As described above, the present invention can minimize the decrease in transmittance of the PIN diode and minimize the effect of damage to the p-type semiconductor layer so that the characteristics of the PIN diode can be stabilized by minimizing the leakage current of the PIN diode. 본 발명에 따르면 PIN 다이오드의 p형 반도체층의 테두리부의 두께가 비테두리부의 두께보다 두껍게 형성되기 때문에, p형 반도체층의 외곽부의 일부 영역이 손상이 된다고 하더라도 두꺼운 테두리부의 두께로 인하여 손상에 의한 영향을 최소화할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 p형 반도체층의 중심부인 비테두리부의 두께는 두껍게 하지 않고 테두리부의 두께만 두껍게 형성함으로써 p형 반도체층의 외곽부의 손상에 의한 영향을 최소화할 수 있는 바, p형 반도체층의 중심부의 두께가 두꺼워짐에 따라 발생할 수 있는 PIN 다이오드의 투과율 감소를 최소화할 수 있다. 이와 같이 본 발명은 PIN 다이오드의 투과율 감소를 최소화하면서도 p형 반도체층의 손상에 의한 영향을 최소화 할 수 있는 바, PIN 다이오드의 누설 전류 발생을 최소화함으로써 PIN 다이오드의 특성을 안정화시킬 수 있다.