개선된 성능을 갖는 바나듐 산화물로 제조된 서미스터 재료를 갖는 마이크로 볼로미터를 제조하는 방법

본 발명은 마이크로 볼로미터(1)를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 방법은, 중간 절연층(13)을 덮는 중앙 부분(14.1) 및 개구(13a)를 통해 편광 전극(12)과 접촉하는 측방향 부분(14.2)으로부터 형성된 바나듐 산화물로 제조된 제1 화합물로부터 생성된 서미스터 재료(14)를 포함하는 멤브레인(10)을 생성하는 단계; 이 방식으로 수정된 화합물의 실온에서의 전기 저항률(ρL)이 제1 화합물의 실온에서의 전기 저항률(ρc)의 10% 이하인 유효량 이상의 추가 화학 화합물(A)의 양(y)을 이온 주입에 의해 측방향 부분(14...

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Hauptverfasser: PELENC DENIS, YON JEAN JACQUES
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 마이크로 볼로미터(1)를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 방법은, 중간 절연층(13)을 덮는 중앙 부분(14.1) 및 개구(13a)를 통해 편광 전극(12)과 접촉하는 측방향 부분(14.2)으로부터 형성된 바나듐 산화물로 제조된 제1 화합물로부터 생성된 서미스터 재료(14)를 포함하는 멤브레인(10)을 생성하는 단계; 이 방식으로 수정된 화합물의 실온에서의 전기 저항률(ρL)이 제1 화합물의 실온에서의 전기 저항률(ρc)의 10% 이하인 유효량 이상의 추가 화학 화합물(A)의 양(y)을 이온 주입에 의해 측방향 부분(14.2)에 국소적으로 혼입하는 단계를 포함한다. A process for fabricating a microbolometer includes producing a membrane containing a thermistor material, which is made of a first compound based on vanadium oxide and which is formed from a central segment. The central segment covers an intermediate insulating layer, and the thermistor material is formed from lateral segments, which make contact with biasing electrodes through apertures. The process also includes incorporating locally, by ion implantation, into the lateral segments an amount of an additional chemical element higher than or equal to the effective amount. The electrical resistivity ρL at room temperature of the compound thus modified is lower than or equal to 10% of the electrical resistivity ρc at room temperature of the first compound.