The optical proximity correction rule check method and the fabricating method of the semiconductor device comprising the same

Provided are an optical proximity correction (OPC) rule check method and a semiconductor manufacturing method including the same. According to the OPC rule check method and the semiconductor manufacturing method including the same, the OPC rule check method includes: correcting an optical proximity effect on a first mask, in which the first mask includes a plurality of pattern linewidths (CDs); measuring each number of pattern linewidths within the first mask that is subject to optical proximity correction; obtaining a distribution probability of each of the pattern linewidths within the first mask that is subject to the OPC; obtaining a distribution of each of the linewidths by multiplying each number of the linewidths and the distribution probability; obtaining a linewidth distribution of the first mask by summing up the distributions of the linewidths; comparing a distribution probability within a first threshold linewidth with a first threshold probability in the linewidth distribution of the first mask; and correcting the optical proximity effect on the first mask again when the distribution probability within the first threshold linewidth is greater than the first threshold probability. Accordingly, verification reliability is improved. 광학 근접 보상 검증 방법 및 이를 포함하는 반도체 제조 방법이 제공된다. 광학 근접 보상 검증 방법 및 이를 포함하는 반도체 제조 방법은 제1 마스크에 대한 광학 근접 효과를 보상하고, 제1 마스크는 복수의 패턴 선폭(CD; Critical Dimension)을 포함하고, 광학 근접 보상된 제1 마스크 내에서, 각각의 패턴 선폭의 개수를 측정하고, 광학 근접 보상된 제1 마스크 내에서, 각각의 패턴 선폭의 분포 확률을 구하고, 선폭 각각의 개수와 분포 확률을 곱하여, 선폭 각각의 분포를 구하고, 선폭 각각의 분포를 합하여, 제1 마스크의 선폭 분포를 구하고, 제1 마스크의 선폭 분포에서, 제1 임계 선폭 내에서의 분포 확률과 제1 임계 확률을 비교하고, 제1 임계 선폭 내에서의 분포 확률이 제1 임계 확률보다 크면, 제1 마스크에 대한 광학 근접 효과를 다시 보상하는 것을 포함한다.