Thin film deposition method substrate processing method and semiconductor manufactured by the same method

The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, and more specifically, to a semiconductor device manufacturing method for forming a thin film during a semiconductor device manufacturing process, and a semiconductor device manufactured by the method. The present invention has been made to achieve the above object of the present invention, and the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device to form a thin film on a mandrel pattern (10) formed on a substrate (1) by using two or more kinds of different metal materials. The semiconductor device manufacturing method includes a deposition step (S10) of forming a thin film (21) on a mandrel pattern (10) by using two or more kinds of precursors including metal materials and a reaction gas reacting with the precursors (S10). The thin film characteristics of the thin film (21) formed by performing the deposition step (S10) are changed along a surface thereof. 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조공정 중 박막을 형성하는 반도체 소자 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판(1) 상에 형성된 맨드렐 패턴(10) 상에 상기 서로 다른 2종 이상의 금속물질을 이용하여 박막을 형성하는 반도체 소자 제조방법으로서, 각 금속물질을 포함하는 2종 이상의 전구체들과, 상기 전구체들과 반응하는 반응가스를 이용하여 상기 맨드렐 패턴(10) 상에 박막(21)을 형성하는 증착단계(S10)를 포함하며, 상기 증착단계(S10)의 수행에 의하여 형성된 박막(21)은, 표면으로 가면서 박막특성이 변화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법을 개시한다.