SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises: a substrate comprising an active region extending in a first direction; a gate structure crossing the active region to extend in a second direction; a source/drain region disposed on the active region on at least one side of the gate structure; a contact plug disposed on the source/drain region on the at least one side of the gate structure; and a contact insulating layer on sidewalls of the contact plug. A lower end of the contact plug is positioned at a level lower than a lower end of the source/drain region. Therefore, the semiconductor device increases electrical features. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 방향으로 연장되는 활성 영역을 포함하는 기판, 상기 활성 영역과 교차하여 제2 방향으로 연장되는 게이트 구조물, 상기 게이트 구조물의 적어도 일측에서 상기 활성 영역 상에 배치되는 소스/드레인 영역, 상기 게이트 구조물의 적어도 일측에서 상기 소스/드레인 영역 상에 배치되는 콘택 플러그, 및 상기 콘택 플러그의 측벽들 상의 콘택 절연층을 포함하고, 상기 콘택 플러그의 하단은 상기 소스/드레인 영역의 하단보다 낮은 레벨에 위치한다.