Variable resistance memory device and method of forming the same

Provided is a variable resistance memory element, which comprises: first conductive lines extending in a first direction; second conductive lines extending in a second direction crossing the first direction; and memory cells individually disposed at intersections of the first conductive lines and the second conductive lines. Each of the memory cells comprises: a switching pattern, a first electrode, a variable resistance pattern, and a second electrode connected in series between the first and second conductive lines; and a spacer structure covering a side surface of the variable resistance pattern. The spacer structure comprises: a first spacer provided onto a side surface of the second electrode; and a second spacer covering the first spacer on the side surface of the second electrode and extending on the side surface of the variable resistance pattern to contact the side surface of the variable resistance pattern. Therefore, the variable resistance memory element can increase reliability. 제 1 방향으로 연장되는 제 1 도전 라인들, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 제 2 도전 라인들, 및 상기 제 1 도전 라인들과 상기 제 2 도전 라인들의 교차점에 각각 배치되는 메모리 셀들을 포함하는 가변 저항 메모리 소자를 제공하되, 상기 메모리 셀들 각각은 상기 제 1 및 제 2 도전 라인들 사이에서 직렬로 연결되는 스위칭 패턴, 제 1 전극, 가변 저항 패턴, 및 제 2 전극, 및 상기 가변 저항 패턴의 측면을 덮는 스페이서 구조체를 포함하고, 상기 스페이서 구조체는 상기 제 2 전극의 측면 상에 제공되는 제 1 스페이서, 및 상기 제 2 전극의 상기 측면 상에서 상기 제 1 스페이서를 덮고, 상기 가변 저항 패턴의 상기 측면 상으로 연장되어 상기 가변 저항 패턴의 상기 측면과 접하는 제 2 스페이서를 포함할 수 있다.