플라즈마 프로세싱 툴들을 위한 기판 상태 검출

프로세싱 동안 프로세싱 챔버로 전달된 RF 전력의 관찰된 거동에 기초하여 프로세싱 챔버의 클램핑 표면에 클램핑된 기판의 갭 및/또는 시프팅을 검출할 수 있는 기판 프로세싱 툴. RF 전력의 거동은 프로세싱 챔버에 전달된 RF 전력의 유효 RF 전력 성분과 무효 RF 전력 성분 사이의 전압-전류 위상 각 차 및/또는 임피던스 크기 변화를 비교함으로써 관찰된다. A substrate processing tool capable of detecting a gap and/or shifting of a substrate clamped to a clamping surface in a processing chamber based on observed behavior of RF power delivered to the processing chamber during processing. The behavior of the RF power is observed by comparing a voltage-current phase angle difference and/or impedance magnitude change between a real RF power component and a reactive RF power component of the RF power delivered to the processing chamber.