전자 부품의 콘택트 표면을 전기적으로 연결하는 방법

본 발명은, 제1 전자 부품의 콘택트 표면을 제2 전자 부품의 콘택트 표면과 전기적으로 연결하는 방법으로서, (1) 평균 직경이 8 내지 80 ㎛인 원형 단면을 갖는 와이어를 상기 제1 전자 부품의 콘택트 표면에 모세관 웨지 본딩하는 단계; (2) 모세관 웨지 본딩된 와이어를 들어올려 단계 (1)에서 형성된 모세관 웨지 본드와 제2 전자 부품의 콘택트 표면 사이에 와이어 루프를 형성하는 단계; 및 (3) 와이어를 제2 전자 부품의 콘택트 표면에 스티치 본딩하는 단계를 포함하고, 상기 와이어는 표면을 갖는 와이어 코어를 포함하며, 와...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PUN YEAN MEE, BAYARAS ABITO DANILA, KANG IL TAE, SUTIONO SYLVIA, KIM TAE YEOP, TOK CHEE WEI, ZHANG XI, CHONG KIM HUI, SARANGAPANI MURALI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은, 제1 전자 부품의 콘택트 표면을 제2 전자 부품의 콘택트 표면과 전기적으로 연결하는 방법으로서, (1) 평균 직경이 8 내지 80 ㎛인 원형 단면을 갖는 와이어를 상기 제1 전자 부품의 콘택트 표면에 모세관 웨지 본딩하는 단계; (2) 모세관 웨지 본딩된 와이어를 들어올려 단계 (1)에서 형성된 모세관 웨지 본드와 제2 전자 부품의 콘택트 표면 사이에 와이어 루프를 형성하는 단계; 및 (3) 와이어를 제2 전자 부품의 콘택트 표면에 스티치 본딩하는 단계를 포함하고, 상기 와이어는 표면을 갖는 와이어 코어를 포함하며, 와이어 코어는 그 표면에 중첩된 이중 층 코팅을 갖고, 와이어 코어 자체는 순은, 은 함량이 99.5 wt% 초과인 도핑된 은 및 은 함량이 89 wt% 이상인 은 합금으로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료로 구성되며, 상기 이중 층 코팅은 1 내지 50 ㎚ 두께의 니켈 또는 팔라듐 내부 층과 5 내지 200 ㎚ 두께의 인접한 금 외부 층으로 구성되는 것인 방법을 제공한다. A process for electrically connecting contact surfaces of electronic components by capillary wedge bonding a round wire of 8 to 80 μm to the contact surface of a first electronic component, forming a wire loop, and stitch bonding the wire to the contact surface of a second electronic component, wherein the wire comprises a wire core having a silver or silver-based wire core with a double-layered coating comprised of a 1 to 50 nm thick inner layer of nickel or palladium and an adjacent 5 to 200 nm thick outer layer of gold.