웨이퍼 레벨 패키징 프로세스들에서 뒤틀림을 제어하기 위한 방법들 및 장치

기판 상에 미세 피치 패터닝을 생성하기 위한 방법들 및 장치가 제공된다. 캐리어 또는 캐리어리스(carrier-less) 기판에 기판의 뒤틀림 보정이 수행된다. 기판의 온도를 제1 온도로 상승시켜 유지하고 캐리어리스 기판을 제2 온도로 냉각함으로써 기판에 제1 뒤틀림 보정 프로세스가 수행된다. 그 다음, 기판 상의 중합체 층에 비아들을 형성하는 것과 같은 추가 웨이퍼 레벨 패키징 처리가 수행된다. 그 다음, 기판의 온도를 제3 온도로 상승시켜 유지하고 기판을 제4 온도로 냉각함으로써 기판에 제2 뒤틀림 보정 프로세스가 수행된다. 기판의 뒤틀림이 감소됨에 따라, 2/2㎛ l/s의 미세 피치 패터닝으로 기판 상에 재분배 층이 형성될 수 있다. Methods and apparatus for producing fine pitch patterning on a substrate. Warpage correction of the substrate is accomplished on a carrier or carrier-less substrate. A first warpage correction process is performed on the substrate by raising and holding a temperature of the substrate to a first temperature and cooling the carrier-less substrate to a second temperature. Further wafer level packaging processing is then performed such as forming vias in a polymer layer on the substrate. A second warpage correction process is then performed on the substrate by raising and holding a temperature of the substrate to a third temperature and cooling the substrate to a fourth temperature. With the warpage of the substrate reduced, a redistribution layer may be formed on the substrate with a 2/2 μm l/s fine pitch patterning.