Method of Forming Contact Plug in Semiconductor Integrated Circuit

Disclosed is a method of forming a contact plug of a semiconductor integrated circuit device. According to embodiments of the present invention, there is provided a method of forming a contact plug in a substrate processing apparatus having a process chamber which includes a substrate support portion having a processing space therein, the substrate support portion being located in a lower region of the processing space and on which a semiconductor substrate is mounted, and a gas injection unit located in an upper region of the processing space and configured to inject gas to the semiconductor substrate. The method includes the steps of: providing an interlayer insulating layer having a contact hole on the semiconductor substrate loaded in the processing space; forming a nucleation layer on an inner wall portion of the contact hole and an upper surface of the interlayer insulating layer; forming a semi-bulk layer on the nucleation layer in a lower region of the contact hole; forming an inhibitor layer on the surface of the semi-bulk layer and the exposed nucleation layer; and forming a main bulk layer on the semi-bulk layer to fill the inside of the contact hole. 반도체 집적 회로 장치의 콘택 플러그 형성방법에 관한 기술이다. 본 발명의 실시예들은 내부에 처리 공간을 가지며, 상기 처리 공간의 하부 영역에 위치하며 반도체 기판이 안착되는 기판 지지부와, 상기 처리 공간의 상부 영역에 위치되며 상기 반도체 기판으로 가스를 분사하기 위한 가스 분사부를 포함하는 공정 챔버를 구비하는 기판 처리 장치내에서 콘택 플러그를 형성하는 방법으로서, 상기 처리 공간 내부에 로딩된 상기 반도체 기판 상부에 콘택홀을 구비한 층간 절연막을 제공하는 단계; 상기 콘택홀 내벽부 및 상기 층간 절연막 상부 표면에 핵생성층을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 하부 영역의 상기 핵생성층 상에 세미 벌크층을 형성하는 단계; 상기 세미 벌크층 및 상기 노출된 핵생성층 표면상에 인히비터층을 하는 단계; 및 상기 콘택홀 내부가 충진되도록 상기 세미 벌크층 상부에 메인 벌크층을 형성하는 단계를 포함한다.