SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes; gate layers stacked on a substrate; interlayer dielectric layers stacked on the substrate alternately with the gate layers; channel structures vertically extending through the gate layers; string select gate layers disposed on the channel structure; and string select channel layers extending vertically to the substrate from the channel structures by passing through the string select gate layers, wherein the string select channel layer includes a first portion below the string select gate layer, a second portion extending through the string select gate layer, and a third portion above the string select gate layer, and at least one of the first portion and the third portion includes first and second protruding regions protruding outward of the string select gate layer, respectively. The semiconductor device has increased integration density and improved electrical characteristics. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판 상에 적층되는 게이트층들; 상기 기판 상에 상기 게이트층들과 교대로 적층되는 층간 절연층들; 상기 게이트층들을 관통하여 상기 기판에 수직하게 연장되는 채널 구조물들; 상기 채널 구조물들 상의 스트링 선택 게이트층들; 및 상기 스트링 선택 게이트층들을 관통하고, 상기 채널 구조물들로부터 상기 기판에 수직하게 연장되는 스트링 선택 채널층들;을 포함하고, 각각의 상기 스트링 선택 채널층들은, 상기 스트링 선택 게이트층들 하부의 제1 부분, 상기 스트링 선택 게이트층들을 관통하는 제2 부분, 및 상기 스트링 선택 게이트층들 상부의 제3 부분을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분은, 상기 스트링 선택 채널층의 외측으로 돌출되는 제1 돌출 영역 및 제2 돌출 영역을 각각 갖는다.