프로세싱 챔버의 표면들로부터 금속 오염물 제거

기판 프로세싱 챔버의 표면들을 세정하기 위한 방법이 a) 실리콘 테트라클로라이드 (SiCl4), 탄소 테트라클로라이드 (CCl4), 탄화수소 (CxHy, 여기서 x 및 y는 정수들) 및 염소 분자 (Cl2), 붕소 트리클로라이드 (BCl3), 및 티오닐 클로라이드 (SOCl2) 로 구성된 그룹으로부터 선택된 제 1 가스를 공급하는 단계; b) 기판 프로세싱 챔버의 표면들을 에칭하도록 기판 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 스트라이킹하는 단계; c) 플라즈마를 소화하고 기판 프로세싱 챔버를 배기하는 단계; d) 불소 종을 포함하는 제 2 가스를 공급하는 단계; e) 기판 프로세싱 챔버의 표면들을 에칭하도록 기판 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 스트라이킹하는 단계; 및 f) 플라즈마를 소화하고 기판 프로세싱 챔버를 배기하는 단계를 포함한다. A method for cleaning surfaces of a substrate processing chamber includes a) supplying a first gas selected from a group consisting of silicon tetrachloride (SiCl4), carbon tetrachloride (CCl4), a hydrocarbon (CxHy where x and y are integers) and molecular chlorine (Cl2), boron trichloride (BCl3), and thionyl chloride (SOCl2); b) striking plasma in the substrate processing chamber to etch the surfaces of the substrate processing chamber; c) extinguishing the plasma and evacuating the substrate processing chamber; d) supplying a second gas including fluorine species; e) striking plasma in the substrate processing chamber to etch the surfaces of the substrate processing chamber; and f) extinguishing the plasma and evacuating the substrate processing chamber.