ETCHING SOLUTION FOR SILICON NITRIDE LAYER AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

The present invention relates to a silicon nitride etching solution and a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and more specifically, to a silicon nitride etching solution that is not easily decomposed at low temperatures, is easily decomposed under high temperature etching conditions to prevent growth as silicon-based particles, and can increase the selectivity of a silicon nitride layer to a silicon oxide layer, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. 본 발명은 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 저온에서는 쉽게 분해되지 않고, 고온의 식각 조건에서는 쉽게 분해되어 실리콘계 파티클로서의 성장을 방지하고, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 증가시킬 수 있는 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용하여 수행되는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.