2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스 및 방법

본 발명은 전류를 조절하기 위한 스위칭 디바이스(1)에 의해 소스-측 및 부하-측 커패시터들(7, 8)을 포함하는 2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스에 관한 것이다. 스위칭 디바이스(1)는 직렬로 연결된 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)을 포함하며, 여기서 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 각각은 저항기(14-1, 14-2) 및 커패시터(15-1, 15-2)로 구성된 직렬 회로와 병렬로 연결된 적어도 하나의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1, 13-2)를 포함한다. 스위칭 디바이스(1)의 제어 유닛은...

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1. Verfasser: RUPP JUERGEN
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 전류를 조절하기 위한 스위칭 디바이스(1)에 의해 소스-측 및 부하-측 커패시터들(7, 8)을 포함하는 2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스에 관한 것이다. 스위칭 디바이스(1)는 직렬로 연결된 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)을 포함하며, 여기서 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 각각은 저항기(14-1, 14-2) 및 커패시터(15-1, 15-2)로 구성된 직렬 회로와 병렬로 연결된 적어도 하나의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1, 13-2)를 포함한다. 스위칭 디바이스(1)의 제어 유닛은, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 전도하도록 스위치하고, 동시에 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 다른 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 단계 a)에서 차단하도록 스위치하도록 설계된다. 단계 b)에서, 본 발명에 따른 제어 유닛은, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 다른 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 전도하도록 스위치하고, 동시에 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 차단하도록 스위치한다. 단계 c)에서, 소스-측 및 부하-측 커패시터들(7, 8)의 전압들이 매칭될 때까지 단계 a) 및 b)가 반복된다. 마지막으로, 단계 d)에서, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트들(13-1, 13-2)이 전도하도록 스위치된다. Various embodiments include a device for coupling two DC grids comprising source-side and load-side capacitances comprising: a switching device for current regulation, the switching device including two series-connected switching modules;wherein each of the switching modules includes at least one controllable semiconductor switching element connected in parallel to a respective series circuit comprising a resistor and a capacitor; and a control unit. The control unit is programmed to: switch the controllable semiconductor switching element of one of the two switching modules on and at the same time switch the controllable semiconductor switching element of the other of the two switching modules off; switch the controllable semiconductor switching element of the other of the two switching modules on and at the same time switch the controllable semiconductor switching element of the one of the two switching modules off; repeat steps a) and b) until the voltages of the source-side and load-side capacitances have aligned with one another; and switch the controllable semiconductor switching elements of the two switching modules on.