증착 레이트를 측정하기 위한 진동 결정을 사전처리하는 방법, 증착 레이트 측정 디바이스, 증발 소스 및 증착 장치

증착 레이트를 측정하기 위한 진동 결정(110)을 사전처리하는 방법이 설명된다. 방법은 진동 결정의 측정 표면(115)을 분극처리하는 단계를 포함한다. 특히, 방법은, 산소 함유 플라즈마를 이용하여 진동 결정의 측정 표면을 사전처리하는 단계를 포함하고, 사전처리하는 단계는 1 분 ≤ t ≤ 5 분의 시간 기간(t) 동안 10 ℃ ≤ T ≤ 80 ℃의 온도에서 수행된다. 추가로, 증착 레이트 측정 디바이스, 증발 소스 및 증착 장치가 설명된다. A method of pretreating an oscillation crystal (11...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FRANKE SEBASTIAN, AULBACH JULIAN, KELLER STEFAN, MUELLER ANDREAS
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING METALLURGY PHYSICS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	증착 레이트를 측정하기 위한 진동 결정(110)을 사전처리하는 방법이 설명된다. 방법은 진동 결정의 측정 표면(115)을 분극처리하는 단계를 포함한다. 특히, 방법은, 산소 함유 플라즈마를 이용하여 진동 결정의 측정 표면을 사전처리하는 단계를 포함하고, 사전처리하는 단계는 1 분 ≤ t ≤ 5 분의 시간 기간(t) 동안 10 ℃ ≤ T ≤ 80 ℃의 온도에서 수행된다. 추가로, 증착 레이트 측정 디바이스, 증발 소스 및 증착 장치가 설명된다. A method of pretreating an oscillation crystal (110) for measuring a deposition rate is described. The method includes polarizing a measurement surface (115) of the oscillation crystal. In particular, the method includes pretreating the measurement surface of the oscillation crystal with an oxygen containing plasma, wherein pretreating is conducted at a temperature of 10°C ≤ T≤ 80°C for a time period t of 1 min ≤ t ≤ 5min. Further, a deposition rate measurement device, an evaporation source and a deposition apparatus are described.