EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK BLANK MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD OF OPERATION THEREFOR

프로세싱 시스템은, 진공 챔버; 진공 챔버 주위에 부착된 복수의 프로세싱 시스템들; 및 진공으로부터 빠져나가지(exit) 않으면서, 복수의 프로세싱 시스템들 사이에서 웨이퍼를 이동시키기 위한, 진공 챔버의 웨이퍼 취급(handling) 시스템을 포함한다. 극자외선 블랭크를 제조하기 위한 물리 기상 증착 시스템은, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 또는 이들의 조합을 포함하는 타겟을 포함한다. A processing system includes: a vacuum chamber; a plurality of processing sub-syste...

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Hauptverfasser: HOFMANN RALF, FOAD MAJEED A, BEASLEY CARA
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:프로세싱 시스템은, 진공 챔버; 진공 챔버 주위에 부착된 복수의 프로세싱 시스템들; 및 진공으로부터 빠져나가지(exit) 않으면서, 복수의 프로세싱 시스템들 사이에서 웨이퍼를 이동시키기 위한, 진공 챔버의 웨이퍼 취급(handling) 시스템을 포함한다. 극자외선 블랭크를 제조하기 위한 물리 기상 증착 시스템은, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 또는 이들의 조합을 포함하는 타겟을 포함한다. A processing system includes: a vacuum chamber; a plurality of processing sub-systems attached around the vacuum chamber; and a wafer handling system in the vacuum chamber for moving the wafer among the plurality of processing systems without exiting from a vacuum. A physical vapor deposition system for manufacturing an extreme ultraviolet blank comprising: a target comprising molybdenum, molybdenum alloy, or a combination thereof.