이온 주입기 및 이온 주입 장치
전도성 또는 비전도성 다공성 재료를 갖는 하나 이상의 컴포넌트들을 포함하는 반도체 프로세싱 장치가 개시된다. 일부 실시예들에 있어서, 이온 주입기는, 이온 빔을 목표로 보내기 위한 복수의 빔 라인 컴포넌트들, 및 복수의 빔라인 컴포넌트들 중 적어도 하나의 표면을 따른 다공성 재료를 포함할 수 있다. Disclosed is a semiconductor processing apparatus including one or more components having a conductive or nonconductive porous mater...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 전도성 또는 비전도성 다공성 재료를 갖는 하나 이상의 컴포넌트들을 포함하는 반도체 프로세싱 장치가 개시된다. 일부 실시예들에 있어서, 이온 주입기는, 이온 빔을 목표로 보내기 위한 복수의 빔 라인 컴포넌트들, 및 복수의 빔라인 컴포넌트들 중 적어도 하나의 표면을 따른 다공성 재료를 포함할 수 있다.
Disclosed is a semiconductor processing apparatus including one or more components having a conductive or nonconductive porous material. In some embodiments, an ion implanter may include a plurality of beam line components for directing an ion beam to a target, and a porous material along a surface of at least one of the plurality of beamline components. |
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