에칭하는 방법 및 플라즈마 처리 장치

예시적 실시 형태에 따른 방법에서는, 제 1 영역이 제 2 영역보다 기판 내의 보다 깊은 위치에서 그 상면을 제공하도록, 플라즈마 에칭에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 이어서, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에서 탄화수소 가스의 플라즈마를 생성시킴으로써, 기판 상에 탄소를 포함하는 퇴적물이 형성된다. 이어서, 플라즈마 에칭에 의해, 제 1 영역이 더 에칭된다. 탄화수소 가스의 플라즈마의 생성 중에는, 전자석에 의해, 기판의 중심 상에서의 수평 성분보다 큰 수평 성분을 기판의 엣지측 상에서 가지는 자장의 분포가 형성된다. A method includes etching a first region by plasma etching such that an upper surface of the first region is provided at a deeper position within a substrate than a second region; forming a deposit containing carbon on the substrate by forming plasma of a hydrocarbon gas inside a chamber of a plasma processing apparatus; and further etching the first region by plasma etching. In the forming of the plasma of the hydrocarbon gas, magnetic field distribution in which a horizontal component on an edge side of the substrate is larger than a horizontal component on a center of the substrate is formed by an electromagnet.