ELECTRONIC DEVICE

An electronic device is provided. An electronic device according to an embodiment of the present invention is an electronic device including a semiconductor memory. The semiconductor memory may comprise a magnetic tunnel junction (MTJ) structure comprising a free layer having a changeable magnetization direction, a pinned layer having a fixed magnetization direction, and an interfacial layer interposed between the tunnel barrier layer and the pinned layer, and a damping constant enhancement layer. The damping constant enhancement layer may include a material having a damping constant (α) higher than that of CoFeB. It is possible to improve the characteristics of the variable resistance element. 전자 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 변경 가능한 자화 방향을 갖는 자유층, 고정된 자화 방향을 갖는 고정층, 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 개재되는 터널 베리어층을 포함하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조물; 및 상기 터널 베리어층과 상기 고정층 사이에 삽입되는 계면층 및 감쇠 상수 증강층을 포함할 수 있으며, 상기 감쇠 상수 증강층은 CoFeB보다 높은 감쇠 상수(damping constant, α)를 갖는 물질을 포함할 수 있다.