포토닉스 구조 광 신호 전송 영역 제조
포토닉스 구조의 전도성 소재 형성물 상에 배리어 소재(barrier material)로 형성된 층을 증착하는 단계 및 상기 포토닉스 구조의 광 신호 전송 영역에서 상기 층의 소재를 제거하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다. 일 실시예에서 상기 배리어 소재는 실리콘 카본 질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 상기 배리어 소재는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. There is set forth herein a photonics device. The photonics device can comprise a substrate, a c...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 포토닉스 구조의 전도성 소재 형성물 상에 배리어 소재(barrier material)로 형성된 층을 증착하는 단계 및 상기 포토닉스 구조의 광 신호 전송 영역에서 상기 층의 소재를 제거하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다. 일 실시예에서 상기 배리어 소재는 실리콘 카본 질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 상기 배리어 소재는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
There is set forth herein a photonics device. The photonics device can comprise a substrate, a conductive material formation, a dielectric stack, and a barrier layer. The photonics device can transmit a light signal. |
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