PLASMA PROCESSING APPARATUS

An objective of the present invention is to suppress that plasma becomes unstable. In a processing chamber, a mounting table on which a substrate is placed is installed therein, and the plasma processing is performed on the substrate. The high-frequency power supply supplies high-frequency power for bias to the mounting table. A plurality of baffle plates surround the outer periphery of an upper surface of the mounting table, and the baffle plates are disposed to be spaced apart from each other. A concave portion has, between at least one pair of adjacent baffle plates, an inner wall unit including a bottom wall and a plurality of side walls, and constitutes a counter electrode for the mounting table. 본 발명은, 플라즈마가 불안정해지는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. 처리실은, 기판이 배치되는 배치대가 내부에 설치되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 고주파 전원은, 배치대에 바이어스용 고주파 전력을 공급한다. 복수의 배플판은, 배치대의 상면의 외주를 둘러싸고, 서로 이격되어 배치되어 있다. 오목부는, 적어도 한 쌍의 인접한 배플판 사이에, 바닥벽과 복수의 측벽을 포함하는 내벽부를 가지며, 배치대에 대한 대향 전극을 구성한다.