에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치
하나의 예시적 실시 형태에 따른 에칭 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에서 플루오르 카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 기판 상에 플루오르 카본을 포함하는 퇴적물이 형성된다. 기판은 실리콘 함유 재료로 형성된 제 1 영역 및 금속 함유 재료로 형성된 제 2 영역을 가진다. 이어서, 챔버 내에서 희가스의 플라즈마가 생성되고, 기판에 희가스 이온이 공급된다. 그 결과, 퇴적물 중의 플루오르 카본에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 희가스의 플라즈마가 생성될 시에는, 전자석에 의해, 기판의 중심 상에서의 수평 성...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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