에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치

하나의 예시적 실시 형태에 따른 에칭 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에서 플루오르 카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 기판 상에 플루오르 카본을 포함하는 퇴적물이 형성된다. 기판은 실리콘 함유 재료로 형성된 제 1 영역 및 금속 함유 재료로 형성된 제 2 영역을 가진다. 이어서, 챔버 내에서 희가스의 플라즈마가 생성되고, 기판에 희가스 이온이 공급된다. 그 결과, 퇴적물 중의 플루오르 카본에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 희가스의 플라즈마가 생성될 시에는, 전자석에 의해, 기판의 중심 상에서의 수평 성분보다 큰 수평 성분을 기판의 엣지측 상에서 가지는 자장의 분포가 형성된다. In an etching method, plasma from a processing gas containing a fluorocarbon gas is formed within a chamber of a plasma processing apparatus, and a deposit containing fluorocarbon is formed on a substrate. The substrate includes a first region formed of a silicon containing material and a second region formed of a metal containing material. Subsequently, plasma from a rare gas is formed within the chamber, and rare gas ions are supplied to the substrate. As a result, the first region is etched by the fluorocarbon contained in the deposit. When the plasma from the rare gas is formed, a magnetic field distribution in which a horizontal component on an edge side of the substrate is higher than a horizontal component on a center of the substrate is formed by an electromagnet.