RESIDUE REMOVAL IN METAL GATE CUTTING PROCESS

Provided is a method for removing metal gate residues. The method comprises the steps of: forming a gate dielectric layer; forming a metal gate strip over a bottom unit of the gate dielectric layer; and performing a first etching process on the metal gate strip to remove a part of the metal gate strip. The first etching process is performed anisotropically. After the first etching process, a second etching process is performed on the metal gate strip to remove a residue portion of the metal gate strip. The second etching process includes an isotropic etching process. A dielectric material is filled into a recess left by an etched portion and an etched residue portion of the metal gate strip. 방법은 게이트 유전체층을 형성하는 단계와, 게이트 유전체층의 바닥부 위에 금속 게이트 스트립을 형성하는 단계와, 금속 게이트 스트립의 일부를 제거하기 위해 금속 게이트 스트립에 대해 제1 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 제1 에칭 공정은 이방성으로 수행된다. 제1 에칭 공정 이후에, 금속 게이트 스트립의 잔류부를 제거하기 위해 금속 게이트 스트립에 대해 제2 에칭 공정이 수행된다. 제2 에칭 공정은 등방성 에칭 공정을 포함한다. 금속 게이트 스트립의 에칭된 부분과 에칭된 잔류부에 의해 남겨진 리세스에 유전체 재료가 충전된다.