수소 확산 장벽층을 가진 Ⅲ-Ⅴ 발광 마이크로픽셀 어레이 디바이스를 위한 디바이스 및 방법
수소 확산으로 인한 도핑된 GaN 구조체들의 바람직하지 않은 패시베이션화를 최소화하거나 제거하기 위해 수소 장벽층들 가진 고체 상태 발광 마이크로픽셀 어레이 구조체가 제공된다. Solid state light emitting micropixels array structures having hydrogen barrier layers to minimize or eliminate undesirable passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion....
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 수소 확산으로 인한 도핑된 GaN 구조체들의 바람직하지 않은 패시베이션화를 최소화하거나 제거하기 위해 수소 장벽층들 가진 고체 상태 발광 마이크로픽셀 어레이 구조체가 제공된다.
Solid state light emitting micropixels array structures having hydrogen barrier layers to minimize or eliminate undesirable passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion. |
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