플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치

소모 부재를 갖는 처리 용기 내를 일정한 압력으로 유지하고, 피처리체를 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 상기 소모 부재의 온도가 제 1 온도로부터 해당 제 1 온도보다도 낮은 제 2 온도에 도달하기까지의 강온 시간 또는 강온 속도의 변동값을 계측하는 공정과, 상기 소모 부재의 소모 정도와 상기 변동값의 상관을 나타내는 정보에 따라서, 계측한 상기 변동값에 기초하여 상기 소모 부재의 소모 정도를 추정하는 공정을 갖는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다. In a plasma etching method for etching a target object by plasma in a state where a pressure in a processing container having a consumable member is maintained at a constant level, variation of time for temperature decrease of the consumable member from a first temperature to a second temperature lower than the first temperature or variation of speed of the temperature decrease of the consumable member from the first temperature to the second temperature is measured. Further, a degree of consumption of the consumable member is estimated from the variation of time or the variation of speed based on information on correlation between the variation of time or the variation of speed and the degree of consumption of the consumable member.