CVD LARGE VOLUME CVD APPARATUS

The present invention relates to a high-capacity CVD apparatus capable of a high-capacity CVD apparatus capable of performing deposition on multiple substrates of various shapes and sizes, comprising: a CVD reaction chamber having a substrate installed therein; a gas injection unit installed on a side wall of the CVD reaction chamber to inject a reaction gas toward the center thereof; and a gas discharge unit installed to protrude into the CVD reaction chamber from the center of at least one of the upper and lower surfaces of the CVD reaction chamber. The gas discharge unit allows gas inside the CVD reaction chamber to be suctioned through a plurality of exhaust ports having different heights and discharged to the outside of the CVD reaction chamber through a plurality of external exhaust pipes, respectively connected to the plurality of exhaust ports. The plurality of external exhaust pipes can be individually opened and closed to change the positions of the exhaust ports through which the gas is suctioned among the plurality of exhaust ports, and thus the flow and direction of the gas can be adjusted in the CVD reaction chamber. The high-capacity CVD apparatus can include the gas injection unit, in which nozzles for injecting a reaction gas from a side surface of the high-capacity CVD reaction chamber toward the center thereof are installed, and the gas discharge unit installed at the center thereof to supply an optimized reaction gas and form the flow and distribution thereof through control of injection of the reaction gas in the high-capacity CVD reaction chamber, thereby forming a thick film or molded articles having a uniform thickness on the surfaces of substrates having various shapes and sizes. 본 발명은 다양한 형태와 크기의 다수의 기재에 증착을 수행할 수 있는 대용량 CVD 장치로서, 내부에 기재가 설치되는 CVD 반응챔버; 상기 CVD 반응챔버의 측벽에 설치되어 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 가스주입부; 및 상기 CVD 반응챔버의 상면과 하면 중에 하나 이상의 중심에서 CVD 반응챔버 내부로 돌출되도록 설치된 가스배출부를 포함하며, 상기 가스배출부는 높이를 달리하는 복수의 배기구를 통해서 CVD 반응챔버 내부의 가스가 흡기되어, 복수의 배기구 각각에 연결된 복수의 외부 배기관을 통해서 CVD 반응챔버의 외부로 배출되고, 상기 복수의 외부 배기관을 개별적으로 개폐하여 복수의 배기구 중에서 흡기되는 배기구의 위치를 변경함으로써, CVD 반응챔버 내부에서 가스의 흐름과 방향을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 대용량 CVD 반응챔버의 측면에서 중심을 향하여 반응가스를 분사하는 노즐이 설치된 가스주입부와 중심부에 설치된 가스배출부를 포함함으로써, 대용량 CVD 반응챔버 내부에서 제어된 반응가스 분사를 통하여 최적화된 반응가스 공급, 흐름 및 분포를 형성하여 다양한 형태와 크기의 기재 면에 균일한 두께의 후막 또는 성형체를 제조할 수 있는 효과가 있다.