막두께 측정 장치 및 보정 방법

본 개시 내용의 일 양태에 따른 막두께 측정 장치는, 막두께를 이미 알고 있는 제1 웨이퍼의 기준 위치에서의 기준 반사 스펙트럼 신호와, 기준 위치 이외의 각 위치에서의 반사 스펙트럼 신호와의 각 상대 반사율을 산출하는 제1 산출부와, 상기 제1 산출부에 의해 산출된 각 상대 반사율과, 상기 제1 웨이퍼의 각 위치와 상기 집광 프로브 간의 각 거리 데이터와의 관계를 특정하는 특정부와, 상기 특정부에 의해 특정된 관계에 기초하여, 측정 대상인 제2 웨이퍼의 각 위치와 상기 집광 프로브 간의 각 거리 데이터에 대응하는 각 상대 반사율을 산출하는 제2 산출부와, 상기 제2 웨이퍼의 각 위치에서의 막두께를 산출할 때에, 상기 제2 산출부에 의해 산출된 각 상대 반사율에 기초하여, 상기 기준 반사 스펙트럼 신호를 보정하는 보정부를 포함한다. A film thickness measurement device according to one aspect of the present disclosure includes: a first computing unit configured to, for each location on a first wafer having a known thickness other than a reference location on the first wafer, calculate a relative reflectance of a reflection spectral signal of reflected light detected by a collection probe, with respect to a reference reflection spectral signal of reflected light detected by the collection probe at the reference location on the first wafer; a specifying unit configured to specify a relationship between the relative reflectance calculated by the first computing unit and distance data representing a distance between the location on the first wafer and the collection probe; a second computing unit configured to calculate relative reflectances each corresponding to distance data representing a distance between the collection probe and a corresponding location on a second wafer to be measured, based on the relationship specified by the specifying unit; and a correction unit configured to, in calculating film thickness at each location on the second wafer, correct the reference reflection spectral signal based on the relative reflectances calculated by the second computing unit.