SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device comprises: a plurality of semiconductor layers including a first semiconductor layer having the first conductivity, an active layer generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer having the second conductivity different from the first conductivity; a plurality of semiconductor layers in which the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are sequentially grown using a growth substrate; a first electrode simultaneously electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer. 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층을 포함하는 복수의 반도체층;으로서, 성장기판을 이용해 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 및 제2 반도체층과 동시에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하는 반도체 발광소자에 대한 것이다.