반도체 구조를 검증하기 위한 검사 시스템 및 검사 방법

검사 시스템(1)은 반도체 구조를 검증하는 역할을 한다. 검사 시스템은 이온 빔(3)으로 검증될 구조의 공간 분해 노출을 위한 이온 빔 소스(2)를 갖는다. 또한, 질량 분광계(13)를 포함하는 2차 이온 검출 디바이스(12)가 제공된다. 질량 분광계(13)는 주어진 대역폭에서 이온 질량 대 전하 비를 측정하는 것이 가능하다. An inspection system (1) serves to qualify semiconductor structures. The inspection system has an ion beam source (2...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KUEHN WILHELM, LEWIS BRETT, MANTZ ULRICH, MCVEY SHAWN, XIA DEYING
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	검사 시스템(1)은 반도체 구조를 검증하는 역할을 한다. 검사 시스템은 이온 빔(3)으로 검증될 구조의 공간 분해 노출을 위한 이온 빔 소스(2)를 갖는다. 또한, 질량 분광계(13)를 포함하는 2차 이온 검출 디바이스(12)가 제공된다. 질량 분광계(13)는 주어진 대역폭에서 이온 질량 대 전하 비를 측정하는 것이 가능하다. An inspection system (1) serves to qualify semiconductor structures. The inspection system has an ion beam source (2) for space-resolved exposition of the structures to be qualified with an ion beam (3). Further, a secondary ion detection device (12) including a mass spectrometer (13) is provided. The mass spectrometer (13) is capable to measure an ion mass to charge ratio in a given bandwidth.