Lithography method using multi-scale simulation and semiconductor manufacturing method and exposure equipment based on the lithography method

The technical idea of the present invention provides a lithography method, a semiconductor device manufacturing method based on the lithography method, and exposure equipment so as to choose the optimum resist. The lithography method includes: predicting a shape of the virtual resist pattern based on a multi-scale simulation of the resist; forming a test resist pattern by exposing a selected resist based on a result of the simulation; comparing the test resist pattern with the virtual resist pattern; and forming a resist pattern on a patterning target using the resist, when the error range between the test resist pattern and the virtual resist pattern is within an allowable range. 본 발명의 기술적 사상은 최적의 레지스트를 선택할 수 있는 리소그라피 방법, 및 그 리소그라피 방법을 기반으로 한 반도체 소자 제조방법 및 노광 설비를 제공한다. 그 리소그라피 방법은 레지스트에 대한 멀티-스케일(multi-scale) 시뮬레이션에 기초하여 가상 레지스트 패턴의 형상을 예측하는 단계; 상기 시뮬레이션의 결과에 기초하여 선택한 레지스트에 노광을 수행하여 테스트 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 테스트 레지스트 패턴과 상기 가상 레지스트 패턴을 비교하는 단계; 및 상기 테스트 레지스트 패턴과 상기 가상 레지스트 패턴의 오차 범위가 허용 범위 내인 경우, 상기 레지스트를 이용하여 패터닝 대상 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.