ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

The purpose of the invention is to improve the etching characteristic of an outer peripheral part of a substrate. Provided is an etching method performed by a plasma processing device having an annular member around the substrate disposed on a support, wherein the annular member is divided into a first annular member and a second annular member disposed outside the first annular member. At least a portion of the first annular member is disposed in a space between a lower surface of the outer peripheral part of the substrate and an upper surface of the support. The etching method has a process of adjusting the dielectric constant of the space by the first annular member according to the consumption amount of the second annular member, and a process of etching the substrate. 본 발명은, 기판의 외주부의 에칭 특성을 개선하는 것을 목적으로 한다. 지지대에 배치된 기판의 주위에 환형 부재를 갖는 플라즈마 처리 장치에 의해 실행되는 에칭 방법으로서, 상기 환형 부재는, 제1 환형 부재와, 상기 제1 환형 부재보다 외측에 배치되는 제2 환형 부재로 분할되고, 상기 제1 환형 부재의 적어도 일부는, 상기 기판의 외주부의 하면과 상기 지지대의 상면 사이의 공간에 배치되며, 상기 제2 환형 부재의 소모량에 따라, 상기 제1 환형 부재에 의해 상기 공간의 유전율을 조정하는 공정과, 상기 기판을 에칭하는 공정을 갖는 에칭 방법이 제공된다.