셀 프로빙에 의한 고장 예측

셀 프로빙에 의한 고장 예측을 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 방법은 기록 요청을 수신하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 플래시 메모리 디바이스의 블록 내의 복수의 메모리 셀들에 미리결정된 수의 프로그래밍 펄스들을 인가하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 복수의 메모리 셀들 중 각각의 메모리 셀에 검증 펄스를 인가하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 복수의 메모리 셀들의 프로그래밍 상태를 래치들의 세트 내에 저장하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한, 저장된 프로그래밍 상태에 기초하여, 하나 이상의 미리결정된 예상된 범위들 밖으로 벗어나는 블록 내의 메모리 셀들의 총 개수를 결정하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 메모리 셀들의 총 개수가 미리결정된 위험 임계치를 충족시킬 때 그 블록을 위험에 있는 블록으로서 식별하는 단계를 포함한다. Systems and methods are described for predicting potential failures in flash memory devices by probing for memory cells with marginal programming characteristics. A method includes receiving a write request. The method also includes applying a predetermined number of programming pulses to a plurality of memory cells within a block of a flash memory device. The method also includes applying a verify pulse to each respective one of the plurality of memory cells. The method also includes storing programming status of the plurality of memory cells into a set of latches. The method also includes determining, based on the stored programming status, a total number of memory cells within the block that fall outside of one or more predetermined expected ranges. The method also includes identifying the block as a block in risk when the total number of memory cells satisfies a predetermined risk threshold.