SEMICONDUCTOR LAYOUT WITH DIFFERENT ROW HEIGHTS

A semiconductor device includes first cell rows and second cell rows. The first cell rows extend in a first direction. Each of the first cell rows has a first row height. The second cell rows extend in the first direction. Each of the second cell rows has a second row height. The first row height is...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHEN XIANG DONG, LU LEE CHUNG, ZHUANG HUI ZHONG, LIN TZU YING, HOU YUNG CHIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor device includes first cell rows and second cell rows. The first cell rows extend in a first direction. Each of the first cell rows has a first row height. The second cell rows extend in the first direction. Each of the second cell rows has a second row height. The first row height is greater than the second row height. The first cell rows and the second cell rows are interlaced in a periodic sequence. A first row quantity of the first cell rows in the periodic sequence is greater than a second row quantity of the second cell rows in the periodic sequence. 반도체 디바이스는 제 1 셀 행 및 제 2 셀 행을 포함한다. 제 1 셀 행은 제 1 방향으로 연장된다. 제 1 셀 행 각각은 제 1 행 높이를 갖는다. 제 2 셀 행은 제 1 방향으로 연장된다. 제 2 셀 행 각각은 제 2 행 높이를 갖는다. 제 1 행 높이는 제 2 행 높이보다 크다. 제 1 셀 행 및 제 2 셀 행은 주기적 시퀀스로 인터레이스된다. 주기적 시퀀스에서의 제 1 셀 행의 제 1 행 수량은 주기적 시퀀스에서의 제 2 셀 행의 제 2 행 수량보다 크다.