3D 3D MEMORY

3-차원 메모리 셀들 및 메모리 셀들을 제작하고 사용하는 방법들이 일반적으로 본 출원에서 논의된다. 하나 이상의 실시예에서, 3-차원 수직 메모리는 메모리 스택을 포함할 수 있다. 그러한 메모리 스택은 메모리 셀들 및 인접한 메모리 셀들 사이의 유전체를 포함할 수 있고, 각 메모리 셀은 제어 게이트 및 전하 저장 구조를 포함한다. 메모리 셀은 전하 저장 구조 및 제어 게이트 사이의 배리어 물질을 더 포함할 수 있고, 전하 저장 구조 및 배리어 물질은 대체로 동일한 치수를 갖는다. Three-dimensional memory cells and methods of making and using the memory cells are discussed generally herein. In one or more embodiments, a three-dimensional vertical memory can include a memory stack. Such a memory stack can include memory cells and a dielectric between adjacent memory cells, each memory cell including a control gate and a charge storage structure. The memory cell can further include a barrier material between the charge storage structure and the control gate, the charge storage structure and the barrier material having a substantially equal dimension.