프로세싱 챔버의 세정 프로세스 동안 에지 링 포커싱된 증착

프로세싱 챔버에서 세정 프로세스를 수행하는 방법은 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에 배치된 기판 없이, 기판 지지부의 에지 링 상에 코팅의 증착을 달성하도록 가스 분배 디바이스의 측벽 튜닝 홀들을 통해 측벽 가스 플로우에 반응물질 가스들을 공급하는 단계를 포함한다. 측벽 가스 플로우는 에지 링 위의 프로세싱 챔버의 외측 영역을 타깃팅하고, 반응물질 가스들은 제 1 플로우 레이트로 공급된다. 방법은 측벽 튜닝 홀들을 통해 반응물질 가스들을 공급하는 동안, 가스 분배 디바이스의 중심 홀들을 통해 중심 가스 플로우에 불활성 가스들을 공급...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CONTRERAS ANTHONY, TAN ZHONGKUI, JIN YANSHA, YAN HAOQUAN, FU QIAN, KENT TYLER
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	프로세싱 챔버에서 세정 프로세스를 수행하는 방법은 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에 배치된 기판 없이, 기판 지지부의 에지 링 상에 코팅의 증착을 달성하도록 가스 분배 디바이스의 측벽 튜닝 홀들을 통해 측벽 가스 플로우에 반응물질 가스들을 공급하는 단계를 포함한다. 측벽 가스 플로우는 에지 링 위의 프로세싱 챔버의 외측 영역을 타깃팅하고, 반응물질 가스들은 제 1 플로우 레이트로 공급된다. 방법은 측벽 튜닝 홀들을 통해 반응물질 가스들을 공급하는 동안, 가스 분배 디바이스의 중심 홀들을 통해 중심 가스 플로우에 불활성 가스들을 공급하는 단계를 더 포함한다. 불활성 가스들은 제 1 플로우 레이트보다 큰 제 2 플로우 레이트로 공급된다. A method for performing a cleaning process in a processing chamber includes, without a substrate arranged on a substrate support of the processing chamber, supplying reactant gases in a side gas flow via side tuning holes of a gas distribution device to effect deposition of a coating on an edge ring of the substrate support. The side gas flow targets an outer region of the processing chamber above the edge ring, and the reactant gases are supplied at a first flow rate. The method further includes, while supplying the reactant gases via the side tuning holes, supplying inert gases in a center gas flow via center holes of the gas distribution device. The inert gases are supplied at a second flow rate that is greater than the first flow rate.