Magnetic memory device

Provided is a magnetic memory element having excellent properties. The magnetic memory element comprises: a lower contact plug on a substrate; a magnetic tunnel junction pattern on the lower contact plug; a lower electrode interposed between the lower contact plug and the magnetic tunnel junction pattern and in contact with a lower surface of the magnetic tunnel junction pattern; and an upper electrode disposed on the magnetic tunnel junction pattern and in contact with an upper surface of the magnetic tunnel junction pattern. Each of the lower electrode, the magnetic tunnel junction pattern, and the upper electrode has a thickness in a first direction perpendicular to the upper surface of the substrate, and a first thickness of the lower electrode is 0.6 to 1.1 times a second thickness of the magnetic tunnel junction pattern. 자기 기억 소자는 기판 상의 하부 콘택 플러그, 상기 하부 콘택 플러그 상의 자기터널접합 패턴, 상기 하부 콘택 플러그와 상기 자기터널접합 패턴 사이에 개재되고 상기 자기터널접합 패턴의 하면에 접하는 하부 전극, 및 상기 자기터널접합 패턴 상에 배치되고 상기 자기터널접합 패턴의 상면에 접하는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극, 상기 자기터널접합 패턴, 및 상기 상부 전극의 각각은 상기 기판의 상면에 수직한 제1 방향에 따른 두께를 가지고, 상기 하부 전극의 제1 두께는 상기 자기터널접합 패턴의 제2 두께의 0.6배 내지 1.1배이다.